MOS管：场效应管主要有结型场效应管和绝缘栅场效应管。
MOS管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，又称之为绝缘栅场效应管。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT?）：是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中应用的比较广泛
IGBT的电路符号目前为止还没统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
IGBT内部的体二极管不是寄生的，为了保护它的反向耐压因此又称为续流二极管。
判断IGBT内部是否有体二极管很简单，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。适应用于变频器、开关电源、照明电路等领域。
